近日，材料學院劉新科博士的高壓氮化鎵肖特基二極管的研究成果被Semiconductor Today專題報道。文章指出相比較在藍寶石襯底或硅基襯底上異質外延的氮化鎵材料，在自支撐（free-standing）氮化鎵襯底上同質外延的氮化鎵材料具有無法比擬的突出特點，即材料缺陷密度超低（10⁵-10⁶ cm^-2），相比異質氮化鎵外延材料（10¹⁰-10¹²cm^-2）。具有超低材料缺陷密度的自支撐氮化鎵可以提高其器件的可靠性。因此，自支撐氮化鎵電力電子器件，被認為是繼硅基功率器件后，可應用于下一代電力轉化系統（DC/DC,DC/AC,AC/DC）的關鍵元器件。另外，劉博士在高壓氮化鎵肖特基二極管主張開展無金的硅基CMOS兼容的材料和工藝的特色研究，因為金元素在硅基材料中是電子捕獲復合的深能級缺陷，不利于將來采用硅基代工廠來實現氮化鎵器件的量產。該研究得到了國家自然科學基金，深圳市基礎研究布局的多項資金支持。

    Semiconductor Today是總部位于英國具有獨立性和非盈利性的國際半導體行業著名雜志，專注于報道化合物半導體和先進硅半導體的重要研究進展和最新行業動態，具有很強的行業影響力。

相關連接： http://www.semiconductor-today.com/news_items/2017/feb/sinano_010217.shtml